Mitsubishi Electric veröffentlicht Muster von SiC- und Si-Leistungsmodulen der J3-Serie; Kleinere, effizientere Wechselrichter für xEVs
Mitsubishi Electric Corporation kündigte die bevorstehende Veröffentlichung von sechs neuen Leistungshalbleitermodulen der J3-Serie für verschiedene Elektrofahrzeuge (xEVs) an, die entweder über einen Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (SiC-MOSFET) oder einen RC-IGBT (Si) verfügen. (ein rückwärtsleitender IGBT mit einem IGBT und einer Diode auf einem einzelnen Chip) mit kompakten Designs…