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Mitsubishi Electric lanzará muestras de módulos de potencia SiC y Si de la serie J3; Inversores más pequeños y eficientes para xEV

Mitsubishi Electric Corporation anunció el próximo lanzamiento de seis nuevos módulos semiconductores de potencia de la serie J3 para varios vehículos eléctricos (xEV), que incluyen un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio (SiC-MOSFET) o un RC-IGBT (Si). (un IGBT de conducción inversa con un IGBT y un diodo en un solo chip) con diseños compactos...

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