Mitsubishi Electric va publier des échantillons de modules d'alimentation SiC et Si de la série J3 ; Des onduleurs plus petits et plus efficaces pour les xEV
Mitsubishi Electric Corporation a annoncé la sortie prochaine de six nouveaux modules à semi-conducteurs de puissance de la série J3 pour divers véhicules électriques (xEV), dotés soit d'un transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique de carbure de silicium (SiC-MOSFET) ou d'un RC-IGBT (Si). (un IGBT à conduction inverse avec un IGBT et une diode sur une seule puce) avec des conceptions compactes…
