Mitsubishi Electric lançará amostras de módulos de potência de SiC e Si da série J3; Inversores menores e mais eficientes para xEVs
A Mitsubishi Electric Corporation anunciou o próximo lançamento de seis novos módulos semicondutores de potência da série J3 para vários veículos elétricos (xEVs), apresentando um transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico de carboneto de silício (SiC-MOSFET) ou um RC-IGBT (Si). (um IGBT de condução reversa com IGBT e um diodo em um único chip) com designs compactos…