Mitsubishi Electric Corporation, çeşitli elektrikli araçlara (xEV'ler) yönelik, silisyum karbür metal oksit yarı iletken alan etkili transistör (SiC-MOSFET) veya RC-IGBT (Si) içeren altı yeni J3 Serisi güç yarı iletken modülünün yakında piyasaya sürüleceğini duyurdu. (IGBT üzerinde ters iletken IGBT ve tek çip üzerinde bir diyot) kompakt tasarımlara ve elektrikli araçların (EV'ler) ve fişli hibrit elektrikli araçların (PHEV'ler) invertörlerinde kullanım için ölçeklenebilirliğe sahiptir.
Altı J3 Serisi ürünün tamamı 25 Mart'tan itibaren numune sevkiyatlarına hazır olacak. Yeni güç modülleri, 38-2024 Ocak tarihleri arasında Japonya'nın Tokyo Big Sight kentinde düzenlenen 24. Elektronik Ar-Ge, Üretim ve Paketleme Teknolojileri Fuarı'nda (NEPCON JAPONYA 26) sergilenecek. Kuzey Amerika, Avrupa, Çin ve diğer yerlerdeki diğer sergilerin yanı sıra.
Elektriği verimli bir şekilde dönüştürebilen güç yarı iletkenleri, karbondan arındırma girişimlerine yanıt olarak genişledikçe ve çeşitlendikçe, önemli ölçüde azaltılmış güç kaybı sunan SiC güç yarı iletkenlerine olan talep artıyor.
xEV sektöründe, güç yarı iletken modülleri, xEV tahrik motorları için invertörler gibi güç dönüştürme cihazlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. xEV'lerin seyir menzilini genişletmenin yanı sıra, pilleri ve invertörleri daha da küçültmek için kompakt, yüksek güçlü, yüksek verimli modüllere ihtiyaç vardır. Ancak xEV'ler için belirlenen yüksek güvenlik standartları nedeniyle, tahrik motorlarında kullanılan güç yarı iletkenlerinin genel endüstriyel uygulamalarda kullanılanlardan daha güvenilir olması gerekir.
Bu SiC ürünlerinin geliştirilmesi, Japonya'nın Yeni Enerji ve Endüstriyel Teknoloji Geliştirme Organizasyonu (NEDO) tarafından kısmen desteklendi.
Kaynaktan Yeşil Araba Kongresi
Yasal Uyarı: Yukarıda belirtilen bilgiler, Chovm.com'dan bağımsız olarak greencarcongress.com tarafından sağlanmaktadır. Chovm.com, satıcının ve ürünlerin kalitesi ve güvenilirliği konusunda hiçbir beyan ve garanti vermez.
